Kako Biastranzistor s učinkom polja

Field Effect tranzistora ( FET ) razlikuju od bipolarni tranzistora ( BJTs ) jer BJTs su trenutna kontrolom , dok su FET naponski kontrolirani . To se mora uzeti u obzir vrijeme za potiskivanje . U osnovi , postoje tri osnovna načina za potiskivanje s učinkom polja tranzistora . Oni su fiksni bias , self- pristranost i napon djelitelja pristranost . Mali protok struje u FET rezultata u vrlo visokom ulaznom impedancijom koji također utječe na pristranost koja je podnijela zahtjev za pokretanje tranzistor . Upute
Fiksni Bias
1

Spojite spojnu kondenzator (C1) i otpornika ( RG) za FET vratima terminala .
2

Spojite vrata- izvor napon ( VGS ) s negativnom terminala priključen na jedan kraj Rg . Držite izvorni terminal FET pozitivan na vratima . Signal se nanosi preko kondenzatora i razvio preko otpornika
3

izračunati pad napona DC ( VG ) preko RG , koristeći formulu u nastavku : .

Vg = IG rg Screenshot

od njih je uvijek negativna s obzirom na izvor , nema struje teče kroz Rg ivrata terminala trenutno je tako 0 :

Ig = 0Vds = Vdd - Id RdVs = 0VVc = VdsV = VgsVgs = - VGG

Gdje :

vs - izvor voltageVds - Drenažni izvor voltageVgs - vrata izvor napona
self- Bias

4

Spojite vgs je pozitivan terminal na izvor i negativnog terminala na vratima
5

Spojite dva otpornika : . jedan preko vrata i RG , adrugi preko . izvor i RS
6

Odredite napon preko RS koristeći formulu ispod:

vs = Id Rs

Gdje :

id - Drenažni currentVgs = Vg - vs = 0 - IdRs = - id RS

pad napona preko RS daje prednaponska napon ( VGS ) potreban za pokretanje FET
. napon - Pregrada Bias
7

Spojite naponski djelitelja krug kao što je prikazano u dijagramu kruga napona šestar (vidi reference ) .
8

preokrenuti predrasuda vrata tako da nema struje teče kroz njega
9

Odredite vrata napon koristeći formulu u nastavku : .

Vg = ( Vdd /RG1 + RG2 ) RG2

Gdje :

Vg - Gate voltageVdd - napon na odvodnom terminalRg1 - Otpornik preko vrata i drainRg2 - Otpornik preko vrata i terminala baterije