Koliki je napon pojačanja FET pojačala?
* Transconductance (GM): Ovo je mjera koliko se izlazna struja mijenja za danu promjenu ulaznog napona. Viši GM dovodi do većeg dobitka.
* Otpor opterećenja (RL): Otpor povezan s izlazom FET -a. Viši RL dovodi do većeg dobitka.
* Unutarnji otpor (RDS): To je otpor samog FET -a, koji može ograničiti dobitak.
Pojačanje napona FET pojačala može se aproksimirati pomoću sljedeće formule:
av ≈ gm * rl
Gdje:
* AV =pojačanje napona
* GM =Transconductance
* Rl =otpor opterećenja
Važna razmatranja:
* Ulazni otpor: FET -ovi imaju vrlo visoku ulaznu impedansu, što znači da iz izvornog signala izvlače vrlo malo struje. To ih čini idealnim za pojačavanje signala bez učitavanja izvora.
* Frekvencijski odziv: Dobitak FET pojačala može varirati od frekvencije. Kapacitivni učinci u krugu mogu uzrokovati da se dobitak odbaci na visokim frekvencijama.
* pristranost: Točka pristranosti FET -a također može utjecati na njegov dobitak. Pravilno pristranost osigurava da FET djeluje u linearnom području za optimalni dobitak.
Primjer:
Recimo da FET ima transkondukciju od 2 ms (Millisiemens) i spojena je na otpor opterećenja od 10 kΩ (kiloOhms). Približni dobitak napona bio bi:
Av ≈ 2 ms * 10 kΩ =20
To znači da bi izlazni napon bio približno 20 puta veći od ulaznog napona.
Napomena: Ovo je pojednostavljena aproksimacija. Na stvarni napon na pojačanju FET -a utjecati će faktori poput unutarnjeg otpora FET -a, uvjeti pristranosti i konfiguracije specifičnog kruga.