Vrste tranzistora prednaponska

tranzistor jepoluvodiča se koristi za pojačanje ili prebacivanje električne signale . Tranzistor sadrži tri terminala za povezivanje s vanjskim krug . Moment koji jepristranost točka na izlazu emiter napon i protok struje kontrolira tranzistor DC . Kosi mreže koriste kada krugovi su napravljeni s diskretnim strujne krugove . Postoje razni tipovi tranzistora prenaprezanje , detaljno ovdje . Bipolarni tranzistor Pomicanje

vrsta bipolarnog tranzistora prenaprezanje jepojačalo . Bipolarni tranzistor pojačala moraju biti pristran kako bi mogao funkcionirati . S klasa A pojačala , možete koristiti različite vrste pristranosti krugova , kao što su fiksni bias , odašiljač pristranosti i kolektora stabiliziranog jednosmjerno krug .
Bipolarni tranzistor Pomicanje

u bipolarni tranzistor ,bias točka omogućuje tranzistor za rad u aktivnom stanju . Pristranost točka stabilizira struju i Q - point DC napon . Pristranost točka određuje radnu točku ( jednostrani ) , ne mora prebaciti tranzistor na bilo koju poziciju
RF snage tranzistora Pomicanje

power tranzistor uključuje . dvije komponente na jednom poluvodiča umrijeti. Morate pristranost dva tranzistora komponente . Mrežom parovi tranzistora sastavni terminala u sredini ima prizemlje i prednapona . Jedan tranzistor komponenta je pristran Prvo, klasa A operaciju . Još jedan tranzistor komponenta je pristran drugi , Klasa B operaciju .
Field Effect Transistor Pomicanje

Morate pristranost je unipolarni tranzistor s dva napona . Jedan elektrode moraju biti polarizirani iz napona pristrano kroz tranzistor . Tranzistor mora biti u zasititi rad opterećenja . Gate saturabilan opterećenja te glavnog tranzistor Vrata su povezani i podržani od strane dviju pristranosti napona . Vrata napon saturabilan opterećenja je slijedi napon glavnog tranzistor .
Bočno snage Transistor Pomicanje

bočno snage tranzistor sadrži jedan drift regiju i dobro regiju . Obje regije sadrže velike količine silicija . Stavite drugi silicij regiju bočno od dobro regiji . Kad prenaprezanje tranzistor ,struja teče kroz drift regije u bočnom položaju između dviju silikonskih regijama .